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 Analysis of Gate Oxide Degradation Induced by Heavy Ion in SiC Power MOSFETs SiC功率MOSFET中重离子引起的栅氧化层退化分析
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Leshan Qiu; Yun Bai; Jieqin Ding; Jilong Hao; Yidan Tang; et al 出版日期：2024-02-21 |
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