| 标题 |
 Study of the concentration distribution of SiC vapour in the crystal growth zone 晶体生长区SiC蒸汽浓度分布的研究
相关领域
升华（心理学）
过饱和度
Crystal（编程语言）
材料科学
晶体生长
水蒸气
拉普拉斯变换
扩散
拉普拉斯压力
热力学
化学
结晶学
物理
计算机科学
数学分析
数学
有机化学
心理学
程序设计语言
表面张力
心理治疗师
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science and Engineering: B 作者：S. K. Lilov; Ivan Yanchev 出版日期：1993-09-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cdercder
平常的毛豆
冰魂
WaitP
可千万不要躺平呀
剑指东方是为谁
孤独尔白
bc
淡然的熊猫
iNk
随遇而安
从容芮
星辰坠于海
余味
HEIKU
昏睡的蟠桃
子车茗
斯寜
MchemG
谢雷XIELei
皖公网安备34019202002308
