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 Modeling of SiC(0001) n-Channel MOSFETs Based on Comprehensive Understanding of Electron Scattering Mechanism 相关领域
散射
材料科学
MOSFET
凝聚态物理
电子
航程（航空）
兴奋剂
电子迁移率
载流子散射
库仑
电子密度
电子散射
电荷密度
宽禁带半导体
领域（数学）
载流子
大气温度范围
表面粗糙度
场效应晶体管
光电子学
电荷（物理）
碳化硅
载流子密度
霍尔效应
场效应
表面光洁度
态密度
感应高电子迁移率晶体管
电流密度
异质结
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Xilun Chi; Kōji Itō; Takeru Suto; Akio Shima; Kyota Mikami; et al 出版日期：2025-01-01 |
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