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专利、报告等 应用于芯片制造的高介电常数(high-K)薄膜前驱体材料关键技术研发
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应用于芯片制造的高介电常数(high-K)薄膜前驱体材料关键技术研发 成果完成人： 李建恒;汪穹宇;芮祥新;朱思坤;张学奇 第一完成单位： 合肥安德科铭半导体科技有限公司 关键词： 高介电常数; 芯片制造; 前驱体; 镧系; 薄膜 中图分类号： TN304.0;TN40 专辑： 信息科技 专题： 无线电电子学 学科分类号： 510.30 成果简介： ①课题来源与背景： 当前世界最先进的薄膜沉积工艺是原子层沉积工艺(ALD),而前驱体材料是ALD应用的最关键因素,为功能薄膜的沉积生长提供基础材料。 成果类别： 应用技术 成果水平： 未评价 评价形式： 验收 研究起止时间： 2021-09～2023-08 成果入库时间： 2024 |
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