Gate-All-Around Nanosheet FET Device Simulation Methodology Using a Sentaurus TCAD

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标题	Gate-All-Around Nanosheet FET Device Simulation Methodology Using a Sentaurus TCAD
网址	https://doi.org/10.1201/9781003393542-11
DOI	10.1201/9781003393542-11 doi
其它	期刊：Advanced Field-Effect Transistors 作者：Anushka Singh; Archana Pandey 出版日期：2023-12-07
求助人	淡淡太兰在 2026-05-11 14:52:52 发布自江苏，悬赏 30 积分
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