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 High-performance SEGISFET pH Sensor using the structure of double-gate a-IGZO TFTs with engineered gate oxides 采用工程栅极氧化物的双栅极a-IGZO TFT结构的高性能SEGISFET pH传感器
相关领域
材料科学
栅氧化层
光电子学
栅极电介质
薄膜晶体管
五氧化二钽
晶体管
氧化物
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工程类
冶金
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Jooyoung Pyo; Won-Ju Cho 出版日期：2017-01-10 |
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