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Enhancement Mode GaN Tri-Gate MISHEMT With Fluorinated HfO₂ as Charge Trapping Layer in Hybrid Ferroelectric Gate Stack |
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期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者:Rahul Rai; Khanh Quoc Nguyen; Hung Duy Tran; Viet Quoc Ho; You Chen Weng; et al 出版日期:2025-12-30 |
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