| 标题 |
 E-mode GaN HEMT short circuit robustness and degradation 相关领域
高电子迁移率晶体管
氮化镓
短路
材料科学
稳健性（进化）
晶体管
电气工程
光电子学
转换器
逻辑门
宽禁带半导体
电压
工程类
化学
图层（电子）
复合材料
基因
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2017 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) 作者：He Li; Xiao Li; Xiaodan Wang; Jin Wang; Yazan Alsmadi; et al 出版日期：2017-11-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
淡淡的南风
pcr163
风清扬
子车茗
zcl
GingerF
Xiaoxiao
Dean
无极微光
带头大哥
laber
Criminology34
不配.
Hilda007
eric888
朝阳区李知恩
lsl
从容芮
小青椒
唐泽雪穗
丘比特
浪子
tuanheqi
浮浮世世
殷勤的紫槐
Yoanna
遇上就这样吧
皖公网安备34019202002308
