E-mode GaN HEMT short circuit robustness and degradation

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标题	E-mode GaN HEMT short circuit robustness and degradation 相关领域高电子迁移率晶体管氮化镓短路材料科学稳健性（进化）晶体管电气工程光电子学转换器逻辑门宽禁带半导体电压工程类化学生物化学图层（电子）复合材料基因
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/8085404/8095743/08096401...
DOI	10.1109/ecce.2017.8096401 doi
其它	期刊：2017 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) 作者：He Li; Xiao Li; Xiaodan Wang; Jin Wang; Yazan Alsmadi; et al 出版日期：2017-11-29
求助人	culiucabbage 在 2025-11-02 13:05:04 发布自江苏，悬赏 10 积分
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