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Study of gate depletion effect in strained Si NMOSFET with polycrystalline silicon germanium gate
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网址
https://doi.org/10.7498/aps.61.107301
DOI
10.7498/aps.61.107301 doi
其它 期刊：Acta Physica Sinica
作者：Huiyong Hu; Lei Shuai; Zhang He-Ming; Jianjun Song; Xuan Rong-Xi; et al
出版日期：2012-01-01
求助人
chenxing1947 在 2025-10-13 17:11:16 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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