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 Effects of GaN capping on the structural and optical properties of InN nanostructures grown by MOCVD 相关领域
金属有机气相外延
材料科学
纳米结构
光电子学
纳米技术
外延
图层（电子）
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Yuanping Sun; Hui Wang; Lili Wang; Shuming Zhang; Hui Yang; et al 出版日期：2010-07-15 |
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