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标题
Demonstration of 16 THz V Johnson's figure-of-merit and 36 THz V fmax·VBK in ultrathin barrier AlGaN/GaN HEMTs with slant-field-plate T-gates
倾斜场板T型栅超薄势垒AlGaN/GaN HEMT中16 THz V Johnson品质因数和36 THz V fmax·VBK的演示
相关领域
高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 太赫兹辐射 功勋 击穿电压 晶体管 电介质 栅极电介质 电场 V波段 电气工程 电压 物理 量子力学 工程类
网址
https://doi.org/10.1063/5.0080320
DOI
10.1063/5.0080320 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Pengfei Wang; Minhan Mi; Meng Zhang; Qing Zhu; Jiejie Zhu; et al
出版日期：2022-03-07
求助人
木糠 在 2025-12-03 22:23:50 发布自宁夏，悬赏 10 积分
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