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Achieving a Considerable Output Power Density in SOI MESFETs Using Silicon Dioxide Engineering
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MESFET 材料科学 绝缘体上的硅 光电子学 二氧化硅 饱和电流 击穿电压 晶体管 电压 硅 阈值电压 电气工程 功率密度 电场 饱和（图论） 功率半导体器件 场效应晶体管 功率（物理） 复合材料 工程类 物理 数学 量子力学 组合数学
网址
https://doi.org/10.1007/s12633-021-01414-8
DOI
10.1007/s12633-021-01414-8 doi
其它 期刊：Silicon
作者：Mohadese Sina; Ali A. Orouji; Zeinab Ramezani
出版日期：2021-10-11
求助人
qcpassed 在 2026-01-07 08:10:41 发布自陕西，悬赏 10 积分
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