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标题
The degradation mechanism of high power S-band AlGaN/GaN HEMTs under high temperature
大功率S波段AlGaN/GaN HEMTs高温下的退化机制
相关领域
降级（电信） 材料科学 光电子学 机制（生物学） 宽禁带半导体 功率（物理） 工程物理 电气工程 物理 工程类 量子力学
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad8455
DOI
10.1088/1361-6463/ad8455 doi
其它 期刊：Journal of Physics D
作者：Shumeng Yan; Tianying Yang; Tingting Yuan; Guoguo Liu; Tao Xu; et al
出版日期：2024-10-08
求助人
Dracule 在 2025-12-04 11:50:40 发布自天津，悬赏 10 积分
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