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标题
High channel mobility of 3C-SiC n-MOSFETs with gate stacks formed at low temperature—the importance of Coulomb scattering suppression
低温形成栅极堆叠的3C-SiC N-MOSFET的高沟道迁移率——库仑散射抑制的重要性
相关领域
材料科学 光电子学 MOSFET 电子迁移率 散射 堆栈（抽象数据类型） 库仑 高-κ电介质 栅极电介质 电介质 电气工程 晶体管 物理 电压 光学 量子力学 工程类 电子 计算机科学 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac7846
DOI
10.35848/1882-0786/ac7846 doi
其它 期刊：Applied Physics Express
作者：Keisuke Yamamoto; Dong Wang; Hiroshi Nakashima; Shigeomi Hishiki; Hiroki Uratani; et al
出版日期：2022-06-13
求助人
Summer 在 2025-12-04 17:13:42 发布自山西，悬赏 10 积分
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