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Depth‐Resolved Photoluminescence for Channeling Implantation of Mg or Mg/N Ions into GaN after Ultra‐High‐Pressure Annealing 超高压退火后Mg或Mg/N离子沟道注入GaN的深度分辨光致发光
相关领域
光致发光
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离子
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期刊:physica status solidi (b) 作者:Keita Kataoka; Tetsuo Narita; Kazuyoshi Tomita; Shinji Yamada; Tetsu Kachi 出版日期:2025-03-04 |
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