Development and Testing of High-Speed ISCM Devices Using Cu2S/n-Si Heterostructure

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标题	Development and Testing of High-Speed ISCM Devices Using Cu2S/n-Si Heterostructure
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/19/10764799/11108297.pdf...
DOI	10.1109/tim.2025.3595229 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 作者：Sharmila B; Priyanka Dwivedi 出版日期：2025-08-05
求助人	小易在 2026-02-10 22:16:09 发布自山西，悬赏 10 积分
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