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 Degradation of AlGaN/GaN Schottky diodes on silicon: Role of defects at the AlGaN/GaN interface 硅上AlGaN/GaN肖特基二极管的退化：AlGaN/GaN界面缺陷的作用
相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Matteo Meneghini; Marco Bertin; Antonio Stocco; Gabriele dal Santo; Denis Marcon; et al 出版日期：2013-04-22 |
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