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 Resistive switching in ZnO/MoOx bilayer for non-volatile memory applications 用于非易失性存储器的ZnO/MoOx双层电阻开关
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期刊：Journal of Materials Science: Materials in Electronics 作者：Sandra Manoj; André Sharon; P. S. Subin; Aldrin Antony 出版日期：2023-07-01 |
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