Resistive switching in ZnO/MoOx bilayer for non-volatile memory applications

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作者
Sandra Manoj,André Sharon,P. S. Subin,Aldrin Antony
出处
期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics [Springer Nature]
卷期号:34 (19)
标识
DOI:10.1007/s10854-023-10868-y
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