| 标题 |
Electrostatic effects of self-trapped holes in β-Ga2O3 devices 相关领域
光电流
光电子学
光电二极管
光电导性
暗电流
材料科学
半导体
静电学
肖特基二极管
量子隧道
宽禁带半导体
电场
带隙
半导体器件
肖特基势垒
光电探测器
电荷(物理)
热传导
光功率
肖特基效应
电流(流体)
电子
电流
静电放电
砷化镓
载流子
光刻胶
数码产品
导带
凝聚态物理
工作(物理)
物理
静电感应
探测器
光电效应
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Nathan Wriedt; Joe McGlone; Davide Orlandini; Siddharth Rajan 出版日期:2026-04-27 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)