16kbit 1T1R OxRAM arrays embedded in 28nm FDSOI technology demonstrating low BER, high endurance, and compatibility with core logic transistors

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标题	16kbit 1T1R OxRAM arrays embedded in 28nm FDSOI technology demonstrating low BER, high endurance, and compatibility with core logic transistors
网址	http://dx.doi.org/10.1109/imw51353.2021.9439607
DOI	10.1109/imw51353.2021.9439607 doi
其它	期刊：2021 IEEE International Memory Workshop (IMW) 作者：L. Grenouillet; N. Castellani; A. Persico; V. Meli; S. Martin; et al 出版日期：2021-05-01
求助人	dd 在 2026-10-02 22:59:45 发布自浙江，悬赏 10 积分
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