| 标题 |
 Scaled indium oxide transistors fabricated using atomic layer deposition 原子层沉积法制备氧化铟晶体管
相关领域
材料科学
跨导
晶体管
光电子学
原子层沉积
制作
阈值电压
氧化物
硅
铟
薄膜晶体管
图层（电子）
电压
电气工程
纳米技术
工程类
冶金
医学
替代医学
病理
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nature electronics 作者：Mengwei Si; Zehao Lin; Zhizhong Chen; Xing Sun; Haiyan Wang; et al 出版日期：2022-02-21 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Copyright
cdercder
东方元语
Kao
柏柏
伶俐妙海
传统的故事
Nexus
arniu2008
Nole
无极微光
OK
核桃
Criminology34
zho
初景
sagitar
GingerF
俭朴的甜瓜
柑橘乌云
皖公网安备34019202002308
