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[高分]
 Investigation of Parameters for Schottky Barrier (SB) Height for Schottky Barrier Based Carbon Nanotube Field Effect Transistor Device 相关领域
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期刊：Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 作者：Anil Bhardwaj; Sumeet Gupta; Balwinder Raj 出版日期：2020-07-01 |
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