| 标题 |
 Influence of Termination Isolation Deep-Oxide Trenches on Short-Circuit Capability in Silicon-On-Insulator Lateral IGBT 端接隔离深氧化沟对绝缘体上硅横向IGBT短路性能的影响
相关领域
绝缘体上的硅
绝缘栅双极晶体管
电气工程
符号
晶体管
光电子学
材料科学
硅
数学
工程类
算术
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jie Ma; Yong Gu; Long Zhang; Min Luo; Chengwu Pan; et al 出版日期：2022-08-05 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
cdercder
潇洒的惋清
林金花
小荷才露尖尖角
无极微光
毛豆
七月不远
GingerF
OK
乐空思
东方元语
liuzhuohao
Copyright
老胡
Nole
青枫
初遇之时最暖
arniu2008
pluto
皖公网安备34019202002308
