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标题
Influence of Termination Isolation Deep-Oxide Trenches on Short-Circuit Capability in Silicon-On-Insulator Lateral IGBT
端接隔离深氧化沟对绝缘体上硅横向IGBT短路性能的影响
相关领域
绝缘体上的硅 绝缘栅双极晶体管 电气工程 符号 晶体管 光电子学 材料科学 硅 数学 工程类 算术 电压
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3195481
DOI
10.1109/ted.2022.3195481 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Jie Ma; Yong Gu; Long Zhang; Min Luo; Chengwu Pan; et al
出版日期：2022-08-05
求助人
yuhuan 在 2025-08-29 23:45:36 发布，悬赏 10 积分
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