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 Study of p–i–n Diode Structures on High-Resistivity Silicon Substrates Using Deep-Level Transient Spectroscopy 用深能级瞬态光谱研究高阻硅衬底上的P-I-N二极管结构
相关领域
深能级瞬态光谱
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期刊：Semiconductors 作者：T. F. Grigoreva; S. Golubkov; A. N. Boĭko 出版日期：2024-12-01 |
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