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标题
Improved Electrical Characteristics of Ge FinFET CMOS by Plasma-Enhanced Oxidation and Partial Nitridation with Supercritical Fluid Treatment
等离子体增强氧化和超临界流体部分氮化改善Ge FinFET CMOS的电学特性
相关领域
超临界流体 等离子体 材料科学 CMOS芯片 MOSFET 光电子学 化学工程 晶体管 电气工程 化学 电压 物理 工程类 有机化学 量子力学
网址
DOI
10.1109/led.2024.3479200 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Dun‐Bao Ruan; Kuei‐Shu Chang‐Liao; Kai‐Chun Yang; Kai‐Jhih Gan
出版日期:2024-01-01
求助人
dr.du 在 2025-08-04 11:43:51 发布,悬赏 10 积分
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