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 Improved Electrical Characteristics of Ge FinFET CMOS by Plasma-Enhanced Oxidation and Partial Nitridation with Supercritical Fluid Treatment 等离子体增强氧化和超临界流体部分氮化改善Ge FinFET CMOS的电学特性
相关领域
超临界流体
等离子体
材料科学
CMOS芯片
锗
MOSFET
硅
光电子学
化学工程
晶体管
电气工程
化学
电压
物理
工程类
有机化学
量子力学
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Dun‐Bao Ruan; Kuei‐Shu Chang‐Liao; Kai‐Chun Yang; Kai‐Jhih Gan 出版日期：2024-01-01 |
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