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![]() 等离子体增强氧化和超临界流体部分氮化改善Ge FinFET CMOS的电学特性
相关领域
超临界流体
等离子体
材料科学
CMOS芯片
锗
MOSFET
硅
光电子学
化学工程
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Dun‐Bao Ruan; Kuei‐Shu Chang‐Liao; Kai‐Chun Yang; Kai‐Jhih Gan 出版日期:2024-01-01 |
求助人 |
dr.du
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2025-08-04 11:43:51 发布,悬赏 10 积分
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