标题 |
High temperature pulsed-gate robustness testing of SiC power MOSFETs
SiC功率MOSFETs的高温脉冲栅鲁棒性测试
相关领域
碳化硅
材料科学
栅氧化层
可靠性(半导体)
MOSFET
功率MOSFET
光电子学
阈值电压
稳健性(进化)
电子工程
随时间变化的栅氧化层击穿
电气工程
工程物理
电压
功率(物理)
工程类
晶体管
复合材料
物理
化学
基因
量子力学
生物化学
|
网址 | |
DOI |
暂未提供,该求助的时间将会延长,查看原因?
|
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|