标题 |
Hole Selectivity of n‐Type Molybdenum Oxide Carrier Selective Layer for Commercial and Emerging Thin‐Film Photovoltaics: A Critical Analysis of Interface Energetics and Ensuant Device Physics
用于商业和新兴薄膜光伏的n型氧化钼载流子选择层的空穴选择性:界面能量学和后续器件物理学的关键分析
相关领域
光伏
光伏系统
异质结
材料科学
工程物理
纳米技术
图层(电子)
钼
氧化物
光电子学
能量学
电气工程
物理
工程类
冶金
热力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Energy technology 作者:Vidya Sudhakaran Menon; A. Krishnamoorthy 出版日期:2023-09-08 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|