Achieving InGaN-Based Red Light-Emitting Diodes by Increasing the Growth Pressure of Quantum Wells

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标题	Achieving InGaN-Based Red Light-Emitting Diodes by Increasing the Growth Pressure of Quantum Wells 提高量子阱生长压力实现InGaN基红光二极管相关领域发光二极管铟镓氮化物光电子学材料科学氮化镓量子效率量子阱薄脆饼二极管波长外延氮化物镓光学物理激光器纳米技术图层（电子）冶金
网址	https://doi.org/10.1109/lpt.2023.3330496
DOI	10.1109/lpt.2023.3330496 doi
其它	期刊：IEEE Photonics Technology Letters 作者：Kun Xing; Zhen Xia; Guangxia Xie; Zhengwei Pan; Zhe Zhuang; et al 出版日期：2023-12-15
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