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 Achieving InGaN-Based Red Light-Emitting Diodes by Increasing the Growth Pressure of Quantum Wells 提高量子阱生长压力实现InGaN基红光二极管
相关领域
发光二极管
铟镓氮化物
光电子学
材料科学
氮化镓
量子效率
量子阱
薄脆饼
二极管
波长
外延
氮化物
镓
光学
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期刊：IEEE Photonics Technology Letters 作者：Kun Xing; Zhen Xia; Guangxia Xie; Zhengwei Pan; Zhe Zhuang; et al 出版日期：2023-12-15 |
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