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Interface charge engineering in down-scaled AlGaN (<6 nm)/GaN heterostructure for fabrication of GaN-based power HEMTs and MIS-HEMTs
用于制备GaN基功率HEMTs和MIS-HEMTs的小尺度AlGaN(<6 nm)/GaN异质结构中的界面电荷工程
相关领域
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期刊:Applied physics letters 作者:Rui Zhao; Sen Huang; Xinhua Wang; Yuchen Li; Jingyuan Shi; et al 出版日期:2020-03-09 |
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