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An Extended CMOS ISFET Model Incorporating the Physical Design Geometry and the Effects on Performance and Offset Variation
一种扩展的CMOS ISFET模型,包括物理设计几何结构及其对性能和失调变化的影响
相关领域
CMOS芯片
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期刊:I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者:Yan Liu; Pantelis Georgiou; Themis Prodromakis; Timothy G. Constandinou; C. Toumazou 出版日期:2011-12-01 |
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