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 SiC Trenched Schottky Diode with Step-Shaped Junction Barrier for Superior Static Performance and Large Design Window 具有阶梯形结势垒的SiC沟槽肖特基二极管，具有优越的静态性能和大的设计窗口
相关领域
材料科学
肖特基势垒
肖特基二极管
光电子学
碳化硅
二极管
金属半导体结
电接点
制作
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医学
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期刊：Materials science forum 作者：Xi Wang; Hong Bin Pu; Hu Ji; Bing Liu 出版日期：2020-11-01 |
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