Elimination of stress induced dislocation in deep Poly Sinker LDMOS technology

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标题	Elimination of stress induced dislocation in deep Poly Sinker LDMOS technology 深度多晶硅LDMOS工艺中应力诱导位错的消除相关领域 LDMOS 材料科学薄脆饼泄漏（经济）位错晶体管制作光电子学氧化物压力（语言学）电气工程复合材料冶金电压工程类经济医学病理宏观经济学替代医学语言学哲学
网址	https://doi.org/10.1016/j.microrel.2015.01.010
DOI	10.1016/j.microrel.2015.01.010 doi
其它	期刊：Microelectronics Reliability 作者：Xiangming Xu; Jingfeng Huang; Han Yu; Biao Ma; Peng-Fei Wang; et al 出版日期：2015-02-01
求助人	车剑锋在 2025-02-07 16:48:44 发布自北京，悬赏 10 积分
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