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Characterization of nanoscale vertical-channel charge-trap memory thin film transistors using oxide semiconducting active and trap layers
基于氧化物半导体有源层和陷阱层的纳米级垂直沟道电荷陷阱存储薄膜晶体管的表征
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期刊:Journal of vacuum science and technology 作者:Soo Hyun Bae; Hyun Joo Ryoo; Nak Jin Seong; Kyu Jeong Choi; Gi Heon Kim; et al 出版日期:2021-06-22 |
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