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 Large inverse spin Hall effect in BiSb topological insulator for 4 Tb/in2 magnetic recording technology 用于4 Tb/in2磁记录技术的BiSb拓扑绝缘体中的大反自旋霍尔效应
相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Ho Hoang Huy; Julian Sasaki; Nguyen Huynh Duy Khang; Shota Namba; Pham Nam Hai; et al 出版日期：2023-01-30 |
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