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 Ultrahigh Detectivity and Wide Dynamic Range Ultraviolet Photodetectors Based on BixSn1–xO2 Intermediate Band Semiconductor 基于BixSn1-xO2中间带半导体的超高探测率和宽动态范围紫外光探测器
相关领域
光电探测器
响应度
材料科学
光电子学
紫外线
半导体
带隙
比探测率
量子效率
暗电流
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| 网址 | |
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Shusheng Pan; Qianwen Liu; Junqian Zhao; Guanghai Li 出版日期：2017-07-28 |
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