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 Junction-Optimized SPAD With 50.6% Peak PDP and 0.64 cps/μm2 DCR at 2 V Excess Bias Voltage in 130 nm CMOS 经过结优化的SPAD，在130纳米互补型半导体中，峰值显示屏为50.6%，峰值显示屏为0.64 cps/μm2 NCR
相关领域
CMOS芯片
物理
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yang Liu; Ruiqi Fan; Yihan Zhao; Jin Hu; Rui Ma; et al 出版日期：2024-01-19 |
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