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 Editor’s note: “Impurity incorporation in epitaxially laterally overgrown GaN detected by cryogenic photoluminescence microscope with sub-micron spatial resolution” (Journal of Crystal Growth, Volumes 237–239, Part 2, April 2002, Pages 1075-1078) [https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)02139-X] 编者按：“通过具有亚微米空间分辨率的低温光致发光显微镜检测外延横向过度生长GaN中的杂质掺入”（晶体生长杂志，第237-239卷，第2部分，2002年4月，第1075-1078页）[https://doi.org/10.1016/S0022-0248(01)02139-X]
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Jeffrey J. Derby 出版日期：2024-02-06 |
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