Operation of 1.2-kV 4H-SiC Accumulation and Inversion Channel Split-Gate (SG) MOSFETs at Elevated Temperatures

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标题	Operation of 1.2-kV 4H-SiC Accumulation and Inversion Channel Split-Gate (SG) MOSFETs at Elevated Temperatures 1.2 kV 4H-SiC累积和反相沟道分裂栅（SG）MOSFET在高温下的工作相关领域 MOSFET 功勋材料科学电气工程光电子学物理分析化学（期刊）拓扑（电路）电子工程化学工程类晶体管电压色谱法
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2018.2841940
DOI	10.1109/ted.2018.2841940 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kijeong Han; B. Jayant Baliga 出版日期：2018-06-08
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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