Very low temperature (450 °C) selective epitaxial growth of heavilyin situboron-doped SiGe layers

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标题	Very low temperature (450 °C) selective epitaxial growth of heavilyin situboron-doped SiGe layers 相关领域二硼烷分析化学（期刊）化学气相沉积硼托尔外延薄脆饼兴奋剂选择性化学体积流量原位材料科学纳米技术光电子学图层（电子）催化作用色谱法有机化学物理热力学量子力学
网址	http://stacks.iop.org/0268-1242/30/i=11/a=115006/pdf
DOI	10.1088/0268-1242/30/11/115006 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：J Aubin; J M Hartmann; M Veillerot; Z Essa; B Sermage 出版日期：2015-10-05
求助人	TomJarvis 在 2026-05-25 14:34:42 发布自江苏，悬赏 10 积分
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