3.89-kV AlGaN/GaN Schottky barrier diodes on silicon substrate with BaTiO3 field plate termination

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标题	3.89-kV AlGaN/GaN Schottky barrier diodes on silicon substrate with BaTiO3 field plate termination
网址	https://pubs.aip.org/aip/apl/article-pdf/doi/10.1063/5.03098...
DOI	10.1063/5.0309845 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiancheng Liu; Ru Xu; Na Sun; Jiahao Yao; Tong Xu; et al 出版日期：2026-01-26
求助人	涵涵不韩韩在 2026-04-15 12:37:49 发布自天津，悬赏 10 积分
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