High Flat Gain and Broadband Millimeter-Wave Distributed Doherty Low Noise Amplifier for 5G Applications Using GaAs-pHEMT Technology

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标题	High Flat Gain and Broadband Millimeter-Wave Distributed Doherty Low Noise Amplifier for 5G Applications Using GaAs-pHEMT Technology
网址	https://link.springer.com/content/pdf/10.1134/S1063739724600...
DOI	10.1134/s1063739724600031 doi
其它	期刊：Russian Microelectronics 作者： Moustapha El Bakkali; Hanaa El Moudden; Hanae El Ftouh; Naima Amar Touhami 出版日期：2024-09-24
求助人	cfyoung 在 2026-03-09 22:09:57 发布自上海，悬赏 10 积分
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