Mechanism of phosphorus passivation of near-interface oxide traps in 4H–SiC MOS devices investigated by CCDLTS and DFT calculation

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标题	Mechanism of phosphorus passivation of near-interface oxide traps in 4H–SiC MOS devices investigated by CCDLTS and DFT calculation
网址	http://stacks.iop.org/0268-1242/33/i=6/a=065005?key=crossref...
DOI	10.1088/1361-6641/aabda2 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Asanka Jayawardena; X Shen; P M Mooney; Sarit Dhar 出版日期：2018-04-12
求助人	一起长大的约定在 2026-09-21 17:29:37 发布自江苏，悬赏 10 积分
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