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Degradation mechanisms of Schottky p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs under high-temperature reverse bias stress |
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期刊:Chinese Physics B 作者:Fei 飞 Hu 胡; Chengbing 成兵 Pan 潘; Xinyuan 鑫源 Zheng 郑; Yibo 一博 Ning 宁; Xueyan 雪燕 Li 李; et al 出版日期:2025-06-06 |
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(2025-6-4)