Comparing the Gate Dependence of Contact Resistance and Channel Resistance in Organic Field-Effect Transistors for Understanding the Mobility Overestimation Issue

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标题	Comparing the Gate Dependence of Contact Resistance and Channel Resistance in Organic Field-Effect Transistors for Understanding the Mobility Overestimation Issue
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/55/8303574/08269265.pdf?...
DOI	10.1109/led.2018.2798288 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yuanyuan Hu; Guodong Li; Wei Peng; Zhuojun Chen 出版日期：2018-01-26
求助人	feifeizhu 在 2026-07-08 11:25:35 发布自北京，悬赏 10 积分
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