Solution-processed ambipolar ionic-gated transistors from 1D/2D heterojunctions of WSe2 and self-conversed SnO2/Se enabling high-sensitivity thermal sensing

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标题	Solution-processed ambipolar ionic-gated transistors from 1D/2D heterojunctions of WSe2 and self-conversed SnO2/Se enabling high-sensitivity thermal sensing
网址	https://doi.org/10.1063/5.0228989
DOI	10.1063/5.0228989 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jiehua Zhang; Feng Li; Wenwen Chen; Baobao Xu; Yiyi Yang; et al 出版日期：2024
求助人	cyd2007cyd 在 2026-02-06 15:28:01 发布自江苏，悬赏 10 积分
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