p-GaN Gate High-Electron-Mobility Transistors on Silicon Substrate for Radio-Frequency Power Amplification

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标题	[高分] 学位论文 p-GaN Gate High-Electron-Mobility Transistors on Silicon Substrate for Radio-Frequency Power Amplification 相关领域光电子学材料科学基质（水族馆）晶体管硅无线电频率功率（物理）射频功率传输电气工程工程类物理 CMOS芯片海洋学地质学电压放大器量子力学
网址	https://doi.org/10.14711/thesis-hdl151291
DOI	10.14711/thesis-hdl151291 doi
其它	期刊：作者：Yan Cheng 出版日期：2025-01-01
求助人	lgh 在 2026-01-07 10:56:22 发布自陕西，悬赏 50 积分
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