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标题
Simulation of Total Ionizing Dose (TID) Effects Mitigation Technique for 22 nm Fully-Depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI) Transistor
22 nm全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）晶体管总电离剂量（TID）效应抑制技术的模拟
相关领域
绝缘体上的硅 光电子学 晶体管 材料科学 NMOS逻辑 阈值电压 MOSFET 硅 电气工程 CMOS芯片 电子工程 电压 工程类
网址
http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6287639/8948470/09174840...
AI链接 ieee.org ieee.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1109/access.2020.3018714 doi
其它 期刊：IEEE Access
作者：Gangping Yan; Jinshun Bi; Gaobo Xu; Kai Xi; Bo Li; et al
出版日期：2020-08-25
求助人
李沐唅 在 2025-11-15 10:23:57 发布自贵州，悬赏 10 积分
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