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Improving temperature characteristics of GaN-based ultraviolet laser diodes by using InGaN/AlGaN quantum wells
利用InGaN/AlGaN量子阱改善GaN基紫外激光二极管的温度特性
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网址
https://doi.org/10.1364/ol.515502
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1364/ol.515502 doi
其它 期刊：Optics Letters
作者：Jing Yang; Yujie Huang; Zongshun Liu; Yuheng Zhang; Feng Liang; et al
出版日期：2024-02-05
求助人
yy 在 2025-12-12 00:20:57 发布自北京，悬赏 10 积分
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