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标题
Investigation on Electrical–Thermal-Stress Failure of GaN HEMTs Under High-Power Microwave-Induced Pulse Injection
相关领域
材料科学 光电子学 宽禁带半导体 微波食品加热 氮化镓 单片微波集成电路 GSM演进的增强数据速率 半导体 热的 电磁脉冲 砷化镓 脉搏(音乐) 脉冲宽度调制 电子工程 干扰(通信) 电磁干扰 半导体器件 温度测量 氮化物 热阻 功率半导体器件 晶体管 可靠性(半导体)
网址
DOI
10.1109/ted.2025.3643417 doi
求助人
不在忧伤 在 2026-01-12 15:01:06 发布自天津,悬赏 10 积分
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  • 8个月前,求助关闭

    不在忧伤 不在忧伤 Lv1 求助人 关闭了本次求助。

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  • 8个月前

    不在忧伤 不在忧伤 Lv1 求助人 发起了本次求助

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